當將直接調(diào)制的激光器用于高速傳輸系統(tǒng)時，調(diào)制頻率可以不大于弛豫振蕩的頻率。弛豫振蕩取決于載流子壽命和光子壽命。這種依賴關系的近似表達式如下所示：
弛豫振蕩頻率隨激光偏置電流的增加而增加。
在本次案例中，我們通過改變調(diào)制頻率和激光偏置電流來展示高速半導體激光系統(tǒng)的特性。系統(tǒng)布局如圖1所示：
圖1.系統(tǒng)布局
全局參數(shù)設置如下：數(shù)值參數(shù)的討論:比特率為1.3 Gb/s，序列長度為128位，因此，時間窗約為98.5 ns。每比特采樣數(shù)為512，因此采樣率為670GHz。如圖2：
圖2.全局參數(shù)設置
對于激光速率方程模型的默認參數(shù)Ith=33.45mA,τsp = 1ns, τph =3ps，假設調(diào)制峰值電流I=40mA， IB=40mA，則根據(jù)上述方程對應的弛豫振蕩頻率約為1.3 GHz，參數(shù)設置如下圖所示：
圖3.半導體激光器設置
在圖4和圖5中，將展示高于弛豫振蕩頻率的調(diào)制頻率增加對系統(tǒng)性能的影響。在圖4中，研究了比特率1.3 Gb/s和10Gb/s傳輸下系統(tǒng)的眼圖。激光速率方程的參數(shù)是如前所述的默認參數(shù)（I=IB=40mA）。
a)比特率為1.3Gb/s
b)比特率為10Gb/s
圖4.增加系統(tǒng)調(diào)制頻率大于弛豫振蕩頻率
顯然，頻率遠高于弛豫振蕩頻率的調(diào)制會導致不可接受的系統(tǒng)性能。
在圖5中，將展示固定比特率下偏置電流對弛豫振蕩頻率的影響，以及對整個系統(tǒng)性能的影響。我們使用1.3 Gb/s傳輸，保持所有其他參數(shù)不變，并使用IB=20mA。
圖5.減少偏置電流
如果將圖5與圖4（比特率為1.3 Gb/s，IB=40mA）進行比較，可以清楚地表明，偏置電流降低到閾值以下會導致系統(tǒng)性能下降。
在本次案例中，我們展示了高速半導體激光器系統(tǒng)的性能與調(diào)制頻率和激光偏置電流的關系。
|
